愛普生與富士通聯(lián)合開發(fā)FeRAM技術

       日前，以技術創(chuàng)新享譽世界的精工愛普生集團與富士通有限公司聯(lián)合發(fā)布了基于下一代鐵電存儲器（FeRAM）技術聯(lián)合開發(fā)的項目成果。此項新技術創(chuàng)建了領先傳統(tǒng)FeRAM 4倍的全新的高度集成化的FeRAM存儲器核心制程，擁有令人耳目一新的超高性能，讀/寫速度達到傳統(tǒng)FeRAM的 3倍，并擁有卓越的可靠性，能夠進行超過100萬億次的讀寫循環(huán)操作。專家指出，由于這項全新的鐵電制程可以加入至現(xiàn)有的CMOS邏輯電路制程之中，因此很適合用于大規(guī)模制造技術的開發(fā)。

      作為一項安全存儲器領域的尖端技術，F(xiàn)eRAM受到了普遍關注，此次精工愛普生集團聯(lián)手富士通發(fā)布的研發(fā)成果，其性能水平在全球可謂是首屈一指。據(jù)了解，早在2005年6月，雙方正式宣布聯(lián)合開發(fā)協(xié)議之后，愛普生與富士通公司就開始攜手致力于下一代FRAM非易失存儲器領域的技術開發(fā)，并最終取得了圓滿成功，獲得了預期的效果。

       為了更好地將這一領先技術加以應用，愛普生準備將此項目成果與其所擁有的低功率CMOS技術相結(jié)合，進一步加速其在大規(guī)模集成電路（LSI）領域的開發(fā)與商業(yè)化進程，從而用于電池驅(qū)動式裝置和便攜式裝置的生產(chǎn)之中。而富士通公司也將基于該項項目成果繼續(xù)開發(fā)大規(guī)模制造技術，從而使其在FeRAM適用的安全應用市場上充分發(fā)揮出其低功耗和高讀/寫速度的優(yōu)點外，進一步開發(fā)內(nèi)嵌式FeRAM微控制器的新市場，從而進一步滿足多元化的消費者需求。